סמסונג אלקטרוניקה הודיעה על ייצור המוני על פיתרון הזיכרון המובנה הראשון של האחסון Flash Flash (eUFS) 3.0 בתעשייה 512 ג'יגה-בתים.
החברה פרסמה את ההודעה בהודעה לעיתונות מוקדם יותר היום, וחשפה כי eUFS 3.0 מספקת פעמיים את מהירות הקריאה של eUFS 2.1 ויותר מפי וחצי ממהירות הכתיבה.
סמסונג אמרה כי הפיתרון החדש הוא "מהיר פי ארבעה" מכונני SATA של מצב מוצק (SSD), "מהיר יותר פי 20" מכרטיסי microSD אופייניים, ויאפשר לטלפון חכם מעולה להעביר "סרט Full HD למחשב תוך כשלוש שניות . "
הטכנולוגיה אמורה להגיע בסמארטפונים מהדור הבא, כולל ה- Galaxy Galaxy Fold הקרוב.
מדובר במספרים מרשימים במיוחד שכן סמסונג פרסמה פיתרון eUFS 2.1 רק לפני חודש שהיה מהיר למחצית; לא ראינו קפיצת דור כזו בטכנולוגיית האחסון הפנימי של סמסונג במשך יותר מארבע שנים. סמסונג טוענת כי מהירות הקריאה ברצף היא כפולה מעל eUFS 2.1 עד 2,100MB לשנייה ומהירות כתיבה חדשה עד 410MB לשנייה - (ראו הטבלה להלן).
eUFS 3.0 יעניק למוצרי טלפון ניידים מתקדמים יתרון משמעותי בהיבטים מסוימים של ביצועים ניידים (כמו העברת קבצים, התקנת אפליקציה, גישה לקבצי מכשירים ועוד) על פני מוצרים מתחרים, אך זה לא הידיעה היחידה האחרונה של החדשות הטובות עבור זיכרון סמארטפון.
כרטיסי אקספרס של MicroSD הוכרזו רק אתמול על מנת לספק שיעורי העברת קבצים תיאורטיים של עד 985MB לשנייה. מכשירים המשויכים לאחד כזה ופתרון ה- eUFS החדש של סמסונג עשויים להפוך למפלצת ביצועים.
שניהם eUFS 3.0 512 ג'יגה-בייט וגם פיתרון eUFS 3.0 בנפח 128 ג'יגה-בייט ישיקו בהמשך החודש בעוד סמסונג טוענת כי דגמי 1TB ו- 256 ג'יגה-בתים מתוכננים למחצית השנייה של השנה. תן לנו לדעת מה אתה חושב על ההתפתחויות בתגובות.
